9月12日晚间，拓荆科技（688072.SH，股价176.47元，市值493.64亿元）宣布，拟与多家外部投资者对控股子公司拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司（以下简称拓荆键科）增资。
其中，由大基金三期持股99.9%的国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）（以下简称国投集新）也出现在增资方名单中，并将在增资完成后成为拓荆键科第二大股东。
据天眼查，截至目前，国投集新尚无对外投资，大基金三期持股的三家公司也均为投资平台，拓荆键科或将成为大基金三期投向的首个半导体产业项目。
与此同时，拓荆科技还披露一项46亿元规模的定增预案，募投项目包括高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目以及补充流动资金。
拓荆科技子公司获大基金三期青睐
拓荆科技业务范围属于高端半导体专用设备领域，主要研发、生产薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称三维集成设备）。其中，拓荆键科聚焦三维集成设备的研发与产业化应用。
据公司年报介绍，随着“后摩尔时代”来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已无法实现性能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式。
三维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。
不过，从业务规模来看，拓荆键科仍处于发展早期。2025年上半年，拓荆科技整体营收约为19.54亿元，拓荆键科仅实现营收114.55万元，净亏损3746.76万元。
此次增资目的即是进一步推动拓荆键科在三维集成设备领域的迅速发展。
公告显示，共有6家主体参与此次增资。其中，拓荆科技与国投集新均出资不超过4.5亿元，拓荆键科的两家员工持股平台合计出资不超过1亿元，上海华虹虹芯二期和海宁融创的出资额分别不超过3000万元和950万元。
增资完成后，拓荆科技对拓荆键科的持股比例将降至约53.57%，国投集新成为拓荆键科第二大股东，持股比例约为12.71%。
尽管拓荆键科营收规模较小且尚未盈利，但增资方对其价值展现了高度认可。
据公告，此次对拓荆键科的定价采用收益法评估结果，以2024年12月31日为评估基准日，拓荆键科的净资产账面价值为5521.98万元，收益法评估后的股东全部权益价值为25.29亿元，经协商确定本次融资的投前估值为25亿元，增值率4427.36%。
产能预计无法满足未来需求，定增预案发力扩产增效
在加速发展三维集成设备之外，拓荆科技也在薄膜沉积设备领域持续发力。
定增预案显示，拓荆科技计划实施“高端半导体设备产业化基地建设项目”，大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司多款薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，扩大公司业务规模。
拓荆科技表示，在人工智能、高性能计算等新兴领域的需求带动下，晶圆厂持续进行资本开支、扩充产能，进而提升高端半导体设备的市场需求量。近年来，受益于下游市场需求旺盛，公司业务规模呈现快速增长趋势，目前的产能预计无法满足未来客户的订单需求。
“本项目将通过建设新产线的方式增加公司高端半导体设备的生产能力，缓解公司未来产能瓶颈，促进公司业务规模持续增长，最终实现公司可持续增长能力的有效提升。”拓荆科技表示。据介绍，“高端半导体设备产业化基地建设项目”拟投入资金17.68亿元，项目建设期5年。
此外，拓荆科技还计划投入20亿元建设“前沿技术研发中心建设项目”，对现有薄膜沉积设备进行工艺优化和性能提升。
拓荆科技表示，目前，国际知名半导体设备企业在国内高端薄膜沉积设备行业的市场占有率仍然较高，我国发展起步较晚、技术基础薄弱，尽管近年来国内企业不断加强技术研发，在部分技术领域逐步实现了突破，但在工艺复杂度较高的关键环节仍与国际最先进水平存在着一定差距。
此外，半导体行业历来遵循着“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造需要超前于下游应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。不同先进芯片结构所需要的不同薄膜材料种类、沉积工序也催生了大量的前沿技术薄膜沉积设备需求。
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